| Выпуск |
Название |
Файл |
| Том 53, № 6 (2024) |
III-нитридные hemt гетероструктуры с ультратонким барьером AlN: получение и экспериментальное применение |
(Rus)
|
|
Гусев А.С., Султанов А.О., Рыжук Р.В., Неволина Т.Н., Цунваза Д., Сафаралиев Г.К., Каргин Н.И.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Биполярный транзистор c туннельным пробоем |
(Rus)
|
|
Рехвиашвили С.Ш., Гаев Д.С.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Температурные зависимости напряжения пробоя высоковольтного КНИ LDMOS транзистора |
(Rus)
|
|
Новоселов А.С., Гусев М.Р., Масальский Н.В.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа |
(Rus)
|
|
Алябина Н.А., Архипова Е.А., Бузынин Ю.Н., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Титова А.М., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Анализ механизмов рассеяния носителей в AlN/GaN HEMT-гетероструктурах с ультратонким AlN барьером |
(Rus)
|
|
Гусев А.С., Султанов А.О., Катков А.В., Рындя С.М., Сигловая Н.В., Клочков А.Н., Рыжук Р.В., Каргин Н.И., Борисенко Д.П.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Влияние лазерного излучения на функциональные свойства приборных МОП-структур |
(Rus)
|
|
Рехвиашвили С.Ш., Гаев Д.С.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Перенос электронов в биполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера |
(Rus)
|
|
Голиков О.Л., Забавичев И.Ю., Иванов А.С., Оболенский С.В., Оболенская Е.C., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.C., Тарасова Е.А., Хазанова С.В.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Исследование мемристорного эффекта в кроссбар-архитектуре для нейроморфных систем искусственного интеллекта |
(Rus)
|
|
Полякова В.В., Саенко А.В., Коц И.Н., Ковалев А.В.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со |
(Rus)
|
|
Ковальчук Н.С., Ластовский С.Б., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Биполярный транзистор с оптической накачкой |
(Rus)
|
|
Альтудов Ю.К., Гаев Д.С., Псху А.В., Рехвиашвили С.Ш.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Прототипы приборов гетерогенной гибридной полупроводниковой электроники с встроенным биомолекулярным доменом |
(Rus)
|
|
Баранов М.А., Карсеева Э.К., Цыбин О.Ю.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Проектирование интегральных умножителей напряжения по типовым КМОП-технологиям |
(Rus)
|
|
Синюкин А.С., Коноплев Б.Г., Ковалев А.В.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Нейроморфные системы: приборы, архитектура и алгоритмы |
(Rus)
|
|
Фетисенкова К.А., Рогожин А.Е.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Влияние деградации горячих носителей на характеристики высоковольтного КНИ транзистора с большой областью дрейфа |
(Rus)
|
|
Новоселов А.С., Масальский Н.В.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов |
(Rus)
|
|
Ковальчук Н.С., Ластовский С.Б., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Многоуровневые мемристивные структуры на основе эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7 – δ |
(Rus)
|
|
Тулина Н.А., Россоленко А.Н., Борисенко И.Ю., Иванов А.А.
|
| Том 52, № 2 (2023) |
Оксидные мемристоры для ReRAM: подходы, характеристики, структуры |
(Rus)
|
|
Исаев А.Г., Пермякова О.О., Рогожин А.Е.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Исследование фотоприемников с барьерами Шоттки на основе контакта IRSI–SI |
(Rus)
|
|
Керимов Э.А.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур |
(Rus)
|
|
Яфаров Р.К., Шабунин Н.О.
|
| 1 - 19 из 19 результатов |
|
