Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского
- Авторы: Санжаровский Н.А.1, Парфентьева И.Б.1, Югова Т.Г.1, Князев С.Н.1
-
Учреждения:
- АО “Гиредмет”
- Выпуск: Том 69, № 3 (2024)
- Страницы: 400-404
- Раздел: РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ
- URL: https://ter-arkhiv.ru/0023-4761/article/view/673169
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124030041
- EDN: https://elibrary.ru/XOZLFO
- ID: 673169
Цитировать
Аннотация
Обнаружены различные нарушения структурного совершенства монокристаллов арсенида индия InAs, сильно легированных Sn, которые зависят от концентрации Sn в различных участках кристалла. При низких концентрациях носителей заряда (электронов) ~1.5 × 1018 см–3 в начальных участках кристалла наблюдается необычное кольцеобразное распределение дислокаций в поперечном сечении. Плотность дислокаций при этом была в диапазоне (0.1–1.0) × 104 см–2. При концентрации носителей заряда более 4.0 × 1018 см–3 в конечных участках кристаллов наблюдаются включения индия, а также “вицинальные холмики”. Плотность дислокаций в конечных сечениях кристаллов, в которых упомянутые выше дефекты не наблюдаются, была в диапазоне (0.4–2.1) × 104 см–2.
Полный текст

Об авторах
Н. А. Санжаровский
АО “Гиредмет”
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва
И. Б. Парфентьева
АО “Гиредмет”
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва
Т. Г. Югова
АО “Гиредмет”
Автор, ответственный за переписку.
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва
С. Н. Князев
АО “Гиредмет”
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А. // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. С. 147. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799
- Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 6. С. 26. https://doi.org/10.1134/S1063782608060018 https://www.shalomeo.com/Wafers-and-Substrates/InAs-Semi-Growth/product-936.html
- Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855. https://doi.org/10.1063/1.1714594
- Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Кристаллография. 1982. Т. 27. Вып. 4. С. 712.
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 5. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 188. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
Дополнительные файлы
