Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского

Обложка

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Обнаружены различные нарушения структурного совершенства монокристаллов арсенида индия InAs, сильно легированных Sn, которые зависят от концентрации Sn в различных участках кристалла. При низких концентрациях носителей заряда (электронов) ~1.5 × 1018 см–3 в начальных участках кристалла наблюдается необычное кольцеобразное распределение дислокаций в поперечном сечении. Плотность дислокаций при этом была в диапазоне (0.1–1.0) × 104 см–2. При концентрации носителей заряда более 4.0 × 1018 см–3 в конечных участках кристаллов наблюдаются включения индия, а также “вицинальные холмики”. Плотность дислокаций в конечных сечениях кристаллов, в которых упомянутые выше дефекты не наблюдаются, была в диапазоне (0.4–2.1) × 104 см–2.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Н. А. Санжаровский

АО “Гиредмет”

Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

И. Б. Парфентьева

АО “Гиредмет”

Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

Т. Г. Югова

АО “Гиредмет”

Автор, ответственный за переписку.
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

С. Н. Князев

АО “Гиредмет”

Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А. // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. С. 147. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799
  2. Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 6. С. 26. https://doi.org/10.1134/S1063782608060018 https://www.shalomeo.com/Wafers-and-Substrates/InAs-Semi-Growth/product-936.html
  3. Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855. https://doi.org/10.1063/1.1714594
  4. Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Кристаллография. 1982. Т. 27. Вып. 4. С. 712.
  5. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 5. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
  6. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 188. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Кольцеобразное распределение дислокаций по поперечному сечению кристалла InAs, легированного Sn, до (а) и после (б) А/В-травления пластины.

Скачать (237KB)
3. Рис. 2. Картина “звездного неба” на поперечных шайбах после полировки (а), “дислокационные розетки” вокруг включений In, выявляемые при травлении на дислокации (б).

Скачать (168KB)
4. Рис. 3. Область с включениями индия, выявленная полировкой, в нижней части кристалла диаметром 50 мм.

Скачать (253KB)
5. Рис. 4. Общий вид пластины, вырезанной параллельно оси роста с включениями индия и фотографии различных участков пластины.

Скачать (239KB)
6. Рис. 5. Распределение дислокаций по поверхности пластины с включениями In, вырезанной параллельно оси роста (общий вид), и распределение дислокаций в различных участках пластины.

Скачать (242KB)
7. Рис. 6. “Вицинали”, выявленные в монокристалле InAs, сильно легированном Sn, до травления (а), после травления на дислокации (б).

Скачать (265KB)

© Российская академия наук, 2024