Al₂O₃ Melt interaction with nitrogen at high temperatures and pressure 1 bar
- Autores: Kostomarov D.V.1, Fedorov V.A.1
-
Afiliações:
- Shubnikov Institute of Crystallography of Kurchatov Complex of Crystallography and Photonics of NRC “Kurchatov Institute” Moscow
- Edição: Volume 69, Nº 3 (2024)
- Páginas: 557-564
- Seção: CRYSTAL GROWTH
- URL: https://ter-arkhiv.ru/0023-4761/article/view/673197
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124030229
- EDN: https://elibrary.ru/XNJQUG
- ID: 673197
Citar
Resumo
The main chemical reactions of interaction in the Al₂O₃−N₂ system have been determined for a temperature of 2400 K and a pressure of 1 Bar. It was found that in the absence of direct interaction of nitrogen (molecular and atomic) with the melt, chemical reactions between nitrogen and products of dissociative evaporation of Al₂O₃ melt are possible. Nitrogen oxidation reactions and interaction reactions of nitrogen oxides with the melt, both directly and with the participation of elemental oxygen or gaseous aluminium oxides, have been determined. It is demonstrated that elemental forms of nitrogen can interact with the melt together with nitrogen oxides and (or) with all Al-containing components of the system. Concentrations of gaseous substances in equilibrium with Al₂O₃ melt were calculated by the Monte Carlo method.
Texto integral

Sobre autores
D. Kostomarov
Shubnikov Institute of Crystallography of Kurchatov Complex of Crystallography and Photonics of NRC “Kurchatov Institute” Moscow
Email: fedorov-metrology@yandex.ru
Rússia, Leninskii pr. 59, Moscow 119333
V. Fedorov
Shubnikov Institute of Crystallography of Kurchatov Complex of Crystallography and Photonics of NRC “Kurchatov Institute” Moscow
Autor responsável pela correspondência
Email: fedorov-metrology@yandex.ru
Rússia, Leninskii pr. 59, Moscow 119333
Bibliografia
- Леонидова М.Н., Шварцман Л.А., Шульц Л.А. Физико-химические взаимодействия металлов с контролируемыми атмосферами. М.: Металлургия, 1980. 264 с.
- Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А. Тепло- и массоперенос при выращивании монокристаллов направленной кристаллизацией. М.: Физматлит, 2007. 224 с.
- Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Пищик В.В. Энциклопедия сапфира. Харьков: Институт монокристаллов, 2004. 508 с.
- Данько А.Я., Пузиков В.М., Семиноженко В.П., Сидельникова Н.С. Технологические основы выращивания лейкосапфира в восстановительных условиях. Харьков: ИСМА, 2009. 272 с.
- Kvapil Ji, Kvapil Jo, Manek B. et al. // J. Cryst. Growth. 1981. V. 52. № 2. P. 542. http://doi.org/10.1016/0022-0248(81)90336-5
- Pingxin Song, Zhiwei Zhao, Xiaodong Xu et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 270. № 3–4. P. 433. http://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.06.042
- Гаранин А.В., Шапкин А.И. // Геохимия. 1984. № 11. С. 1775.
- Шапкин А.И., Сидоров Ю.И. Термодинамические модели в космохимии и планетологии. М.: Едиториал УРСС, 2004. 336 с.
- Жариков В.А. Основы физико-химической петрологии. Изд-во МГУ, 1976, 420 с.
- Kelley K.K. // U.S. Bur. Mines. Bull. 1960. V. 584. № 1. P. 3.
- Сивухин Д.В. Термодинамика и молекулярная физика. М.: Наука, 1990. 592 с.
- Багдасаров Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. М.: Физматлит, 2004. 160 с.
- Hastic J.W. High Temperature Vapors: Science and Technology. Acad. Press, 2012. 496 p.
- Семенов Г.А., Николаев Е.Н., Францева К.Е. Применение масс-спектроскопии в неорганической химии. Л.: Химия, 1976. 152 с.
- Kashireninov C.E., Chervonnuyi A.D., Piven V.A. // High Temp. Sci. 1982. V. 15. № 2–3. P. 79.
- Kostomarov D.V., Bagdasarov K.S., Kobzareva S.A., Antonov E.V. // Crystallography Reports. 2010. V. 55. № 1. P. 153. http://doi.org/10.1134/S1063774510010232
- Harrison W.T.A. // Mat. Res. Bull. 1995. V. 30. № 11. P. 1325. http://doi.org/10.1016/0025-5408(95)00157-3
- Kassem M. // Неорган. материалы. 2006. Т. 42. № 2. С. 201. http://doi.org/10.1134/S0020168506020142
- Ressler T., Timpe O., Neisius B. et al. // J. Catalisys. 2000. V. 191. № 1. P. 75. http://doi.org/10.1006/jcat.1999.2772
- Dieterle M., Mestl G. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2002. V. 4. № 4. P. 822. http://doi.org/10.1039/B107012F
Arquivos suplementares
