| Выпуск |
Название |
Файл |
| Том 53, № 5 (2024) |
Разработка аппарата образного представления информации для нейроморфных устройств |
|
|
Симонов Н.А.
|
| Том 54, № 1 (2025) |
Разработка и испытание технологической платформы атомно-слоевого осаждения для синтеза материалов микро- и наноэлектроники |
|
|
Амашаев Р.Р., Исубгаджиев Ш.М., Рабаданов М.Х., Абдулагатов И.М.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора |
|
|
Локотко В.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора |
|
|
Цунваза Д., Рыжук Р.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И., Клоков В.А.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа |
|
|
Алябина Н.А., Архипова Е.А., Бузынин Ю.Н., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Титова А.М., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Расчет напряженности электрического поля и плотности тока внутри тонкого металлического слоя с учетом скин-эффекта |
|
|
Завитаев Э.В., Русаков О.В., Чухлеб Е.П.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Расчет рабочих характеристик МЭМС‑переключателя c “плавающим” электродом |
|
|
Морозов М.О., Уваров И.В.
|
| Том 54, № 1 (2025) |
Расчет распределений энергии электронного пучка, поглощенной в ПММА и Si, с использованием различных моделей рассеяния |
|
|
Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А.
|
| Том 54, № 3 (2025) |
Самосборка трехмерных мезоструктур с использованием локальной ионно-плазменной обработки |
|
|
Бабушкин А.С., Селюков Р.В., Амиров И.И., Наумов В.В., Изюмов М.О.
|
| Том 54, № 2 (2025) |
Сегнетоэлектрические транзисторы: принципы работы, материалы, приложения |
|
|
Резнюков А.Ю., Фетисенкова К.А., Рогожин А.Е.
|
| Том 52, № 2 (2023) |
Сечения процессов рассеяния при электронно-лучевой литографии |
|
|
Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Согласование параметров термоэлектрической системы охлаждения теплонагруженных элементов электроники |
|
|
Васильев Е.Н.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Состав газовой фазы и кинетика атомов фтора в плазме SF6 |
|
|
Мяконьких А.В., Кузьменко В.О., Ефремов А.М., Руденко К.В.
|
| Том 54, № 3 (2025) |
Стабилизация состояний мемристорной ячейки в процессе начальных переключений после формовки |
|
|
Фадеев А.В., Руденко К.В.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Структура и формирование энергонезависимых ячеек памяти Superflash |
|
|
Абдуллаев Д.А., Боброва Е.В., Милованов Р.А.
|
| Том 54, № 3 (2025) |
Структура тонких пленок нитрида титана, сформированных методом магнетронного распыления |
|
|
Исаев А.Г., Рогожин А.Е.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Структурирование поверхности тонких углеродных пленок в ходе активации импульсами тока микросекундной длительности |
|
|
Нефедов Д.В., Шабунин Н.О., Браташов Д.Н.
|
| Том 53, № 2 (2024) |
Структурные особенности и электрические свойства термомиграционных каналов Si(Al) для высоковольтных фотоэлектрических преобразователей |
|
|
Ломов А.А., Середин Б.М., Мартюшов С.Ю., Татаринцев А.А., Попов В.П., Малибашев А.В.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Температурные зависимости напряжения пробоя высоковольтного КНИ LDMOS транзистора |
|
|
Новоселов А.С., Гусев М.Р., Масальский Н.В.
|
| Том 54, № 3 (2025) |
Температурные характеристики простого токового зеркала на кремниевых высоковольтных nLDMOS с большой DRIFT областью |
|
|
Новоселов А.С., Гусев М.Р., Масальский Н.В.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Тепловое моделирование и оптимизация топологии GaN интегральной схемы полумоста с драйвером управления и силовыми транзисторами |
|
|
Кагадей В.А., Кодорова И.Ю., Полынцев Е.С.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Томографии детекторов с учетом мертвого времени |
|
|
Богданов Ю.И., Катамадзе К.Г., Борщевская Н.А., Авосопянц Г.В., Богданова Н.А., Кулик С.П., Лукичев В.Ф.
|
| Том 54, № 1 (2025) |
Формирование композитных магнитных наноструктур на основе никеля для устройств микроэлектроники и нанодиагностики |
|
|
Воробьева А.И., Тишкевич Д.И., Уткина Е.А., Ходин А.А.
|
| Том 53, № 4 (2024) |
Эволюция вольт-амперной характеристики биполярного мемристора |
|
|
Фадеев А.В., Руденко К.В.
|
| Том 54, № 2 (2025) |
Электрические характеристики рутениевых дорожек с площадью поперечного сечения менее 1000 нм2 |
|
|
Глаз О.Г., Рогожин А.Е.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со |
|
|
Ковальчук Н.С., Ластовский С.Б., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Электрофизические параметры и эмиссионные спектры тлеющего разряда дифтордихлорметана |
|
|
Мурин Д.Б., Чесноков И.А., Гогулев И.А., Гришков А.Э.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана |
|
|
Мурин Д.Б., Пивоваренок С.А., Чесноков И.А., Гогулев И.А.
|
| 101 - 128 из 128 результатов |
<< < 1 2 |
