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Voloshin, D. G.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 54, Nº 3 (2025) | TECHNOLOGIES | Nanostructured ruthenium etching in three-component Cl2 /O2/Ar plasma |
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Palavras-chave
bipolar transistor
dissociation
etching
fluorine atoms
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
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Volume 54, Nº 3 (2025)
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