Разработка и исследование замедляющей системы для миниатюрной многолучевой лампы бегущей волны W-диапазона
- Авторы: Торгашов Р.А.1,2, Ножкин Д.А.1,2, Стародубов А.В.1,2, Рыскин Н.М.1,2
-
Учреждения:
- Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
- Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
- Выпуск: Том 68, № 10 (2023)
- Страницы: 992-997
- Раздел: ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ
- URL: https://ter-arkhiv.ru/0033-8494/article/view/650458
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423100182
- EDN: https://elibrary.ru/YZMCNJ
- ID: 650458
Цитировать
Аннотация
Приведены результаты разработки замедляющей системы (ЗС) типа меандр с металлическими опорами для миниатюрной мощной лампы бегущей волны (ЛБВ) W-диапазона с двумя ленточными электронными пучками. С использованием трехмерного конечно-элементного программного пакета исследованы электродинамические параметры ЗС. Разработана двухсекционная модель ЛБВ-усилителя с разрывом для предотвращения самовозбуждения. Проведено трехмерное моделирование электронно-волнового взаимодействия. Получено, что при общем токе пучка 200 мА в линейном режиме коэффициент усиления превышает 30 дБ в полосе частот 95.4…97.75 ГГц, а выходная мощность в режиме насыщения достигает 120 Вт. Предложена технология изготовления ЗС на основе лазерной микрообработки тонких медных пластин. Изготовлены тестовые образцы ЗС и проведена их верификация с использованием оптической и сканирующей микроскопии.
Об авторах
Р. А. Торгашов
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: torgashovra@gmail.com
Российская Федерация, 410019, Саратов, ул. Зеленая, 38; Российская Федерация, 410012, Саратов, ул. Астраханская, 83
Д. А. Ножкин
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: torgashovra@gmail.com
Российская Федерация, 410019, Саратов, ул. Зеленая, 38; Российская Федерация, 410012, Саратов, ул. Астраханская, 83
А. В. Стародубов
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: torgashovra@gmail.com
Российская Федерация, 410019, Саратов, ул. Зеленая, 38; Российская Федерация, 410012, Саратов, ул. Астраханская, 83
Н. М. Рыскин
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Автор, ответственный за переписку.
Email: torgashovra@gmail.com
Российская Федерация, 410019, Саратов, ул. Зеленая, 38; Российская Федерация, 410012, Саратов, ул. Астраханская, 83
Список литературы
- Paoloni C., Gamzina D., Letizia R. et al. // J. Electromag. Waves Appl. 2021. V. 35. № 5. P. 567. https://doi.org/10.1080/09205071.2020.1848643
- Shao W., Xu D., Wang Zh. et al. // Phys. Plasmas. 2019. V. 26. № 6. P. 063106. https://doi.org/10.1063/1.5096331
- Lu Z., Ding K., Wen R. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2020. V. 41. № 2. P. 284. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2963686
- Dong Y., Chen Z., Li X. et al. // J. Electromag. Waves Appl. 2020. V. 34. № 16. P. 2236. https://doi.org/10.1080/09205071.2020.1807413
- Wang H., Wang Zh., Li X. et al. // Phys. Plasmas. 2018. V. 25. № 6. P. 063113. https://doi.org/10.1063/1.5023776
- Torgashov R.A., Rozhnev A.G., Ryskin N.M. // IEEE Trans. 2022. V. ED-69. № 3. P. 1396. https://doi.org/10.1109/TED.2022.3141337
- Ryskin N.M., Torgashov R.A., Starodubov A.V. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2021. V. 39. № 1. P. 013204. https://doi.org/10.1116/6.0000716
- Стародубов А.В., Ножкин Д.А., Расулов И.И. и др. // РЭ. 2022. Т. 67. № 10. С. 935. https://doi.org/10.31857/S0033849422100126
- Starodubov A.V., Serdobintsev A.A., Galkin A.G. et al. // Intern. Conf. on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE). Saratov, 24–25 Sept. 2020. N.Y.: IEEE, 2020. P. 256. https://doi.org/10.1109/APEDE48864.2020.9255610
Дополнительные файлы
