Влияние бегущего магнитного поля на параметры легированных Те монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Проведено исследование влияния бегущего магнитного поля на параметры монокристаллов GaAs, легированных Te, в диапазоне концентрации носителей заряда 5 × 1017–2 × 1018 см–3. Бегущее магнитное поле в расплаве создавалось графитовым индуктором, находящимся в камере установки вокруг основного нагревателя. Показано, что магнитное поле при высоких частотах незначительно уменьшает плотность дислокаций в кристаллах, не меняя характер распределения дислокаций по их поперечному сечению. Магнитное поле влияет на распределение примеси по оси кристалла, почти вдвое увеличивая расстояние между “полосами роста” от 9 мкм без магнитного поля до 17 мкм при частоте поля 300 Гц.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Т. Г. Югова

АО “Гиредмет”

Автор, ответственный за переписку.
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

В. А. Чупраков

АО “Гиредмет”

Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

Н. А. Санжаровский

АО “Гиредмет”

Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

А. А. Югов

АО “Гиредмет”

Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

И. Д. Мартынов

АО “Гиредмет”

Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

С. Н. Князев

АО “Гиредмет”

Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Terashima K., Fukuda T. // J. Cryst. Growth. 1983. V. 63. P. 423. https://doi.org/10.1016/0022-0248(83)90236-1
  2. Osaka J., Kohda Н., Kobayashi Т., Hoshikawa К. // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. P. L195. https://doi.org/10.1143/JJAP.23.L195
  3. Terashima K., Katsumata T., Orito F. // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. P. L302. https://doi.org/10.1143/JJAP.23.L302
  4. Hoshi K., Isawa N., Suzuki T., Ohkubo Y. // J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. P. 693. https://doi.org/10.1149/1.2113933
  5. Terashima K., Fukuda T. // J. Cryst. Growth. 1983. V. 63. P. 425. https://doi.org/10.1016/0022-0248(83)90236-1
  6. Shiraishi Y., Takano K., Matsubara J. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 229. P. 17. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01042-9
  7. Sleptsova I.V., Senchenkov A.S., Egorov A.V. et al. // Proceedings of Joint 10th European and 6th Russian Symposium on Physical Sciences in Microgravity. St. Petersburg. Russia. 15–21 June 1997. 2. P. 68.
  8. Ataka M., Katoh E., Wakayama N.I. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. P. 592. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00821-4
  9. Yesilyurt S., Motakef S., Grugel R., Mazuruk K. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 263. P. 80. https://doi.org/10.1016/J.JCRYSGRO.2003.11.066
  10. Lyubimova T.P., Croёll A., Dold P. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 266. P. 404. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.02.071
  11. Rudolph P. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 1298. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.11.036
  12. Gräbner O., Mühe A., Müller G. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2000. V. 73. P. 130. https://doi.org/10.1016/S0921-5107(99)00452-3
  13. Vizman D., Gräbner O., Müller G. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 233. P. 687. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01633-5
  14. Hurle D.T.J., Series R.W. // Handbook of Crystal Growth / Ed. Hurle D.T.J. North-Holland: Elsevier, 1994. V. 2a. P. 259. https://doi.org/10.1107/S010876739709990X
  15. Kimura T., Katsumata T., Nakajima M. et al. // J. Cryst. Growth. 1986. V. 79. P. 264. https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90447-1
  16. Ozawa S., Nakayama H., Shiina Y. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1989. V. 96. P. 343.
  17. Rudolph P., Czupalla M., Lux B. // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. Р. 4543. https://www.researchgate.net/publication/282977027_Crystal_growth_from_melt_in_combined_heater-magnet_modules
  18. Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855. https://doi.org/10.1063/1.1714594
  19. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 75. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
  20. Ugova T.G., Belov A.G., Knyazev S.N. // Crystallography Reports. 2020. V. 65. P. 7. https://doi.org/10.1134/S1063774520010277
  21. Патент DE10 2007 020 39 134 от 03.09.2009.
  22. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 93. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
  23. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 172. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
  24. Scheel H.J. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 287. Р. 214. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.10.100

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Распределение дислокационных ямок травления по поперечному сечению конечной части кристалла диаметром 50 мм, выращенного в магнитном поле.

Скачать (363KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Распределение дислокаций по радиусу кристалла диаметром 80 мм, выращенного в магнитном поле частотой 300 Гц (–■-), и кристалла, выращенного без магнитного поля (–●-).

Скачать (77KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Фотография формы фронта кристаллизации в кристалле GaAs диаметром 50 мм, выращенном методом LЕС в магнитном поле.

Скачать (91KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Микрофотографии “полос роста” в монокристаллах GaAs, выращенных при различных частотах бегущего магнитного поля, вектор индукции которого направлен сверху вниз: а – без магнитного поля, б – в поле 150 Гц, в – в поле 300 Гц.

Скачать (360KB)
Метаданные
6. Рис. 5. Микрофотографии “полос роста” в монокристалле GaAs, выращенном в магнитном поле, вектор индукции которого направлен снизу вверх с частотой 300 Гц.

Скачать (209KB)
Метаданные
7. Рис. 6. Зависимость расстояния между “полосами роста” d от частоты магнитного поля, вектор индукции которого направлен сверху вниз.

Скачать (59KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024