Analysis of the change in the composition of the CdTe surface upon implantation of O₂⁺ ions and subsequent annealing

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅或者付费存取

详细

The methods of implantation of O₂⁺ ions into a single-crystal CdTe/Mo(111) film followed by annealing at Т = 800 K for 30 min resulted in the obtained CdTeO3 film. It has been established that in the valence band of the CdTeO3 film there is a 3rd maximum due to the excitation of electrons from 5s Cd electrons and 2p O electrons and bending 5s Cd + 2pO electrons. At implantation of O₂⁺ ions with E0 ≥ 10 keV, Cd-Te-O type compounds were formed in the near-surface layer; therefore, a three-layer nanosystem of the CdTe/CdTeO/CdTe type was formed.

全文:

受限制的访问

作者简介

A. Abduvaitov

Islam Karimov Tashkent State Technical University

Email: ftmet@mail.ru
乌兹别克斯坦, Tashkent, 100095

Kh. Boltaev

Islam Karimov Tashkent State Technical University

Email: ftmet@mail.ru
乌兹别克斯坦, Tashkent, 100095

B. Umirzakov

Islam Karimov Tashkent State Technical University

Email: ftmet@mail.ru
乌兹别克斯坦, Tashkent, 100095

D. Tashmukhamedova

Islam Karimov Tashkent State Technical University

编辑信件的主要联系方式.
Email: ftmet@mail.ru
乌兹别克斯坦, Tashkent, 100095

G. Abdurakhmanov

Mirzo Ulugbek National University of Uzbekistan

Email: ftmet@mail.ru
乌兹别克斯坦, Tashkent, 100174

参考

  1. Bube R.H. // Proc. of the Symp. Mater. New Process. Technol. Photovolt. V. 83–11. (New Jersey, 1983) P. 359.
  2. Lee C.H., Park S.W., Jaesun Lee et al. // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. P. 668.
  3. Рыжков М.С., Худайбердиев Д.А., Козлов Д.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 115. № 4. С. 230; Ryzhkov M.S., Khudaiberdiev D.A., Kozlov D.A. et al. // JETP Lett. 2022. V. 115. No. 4. P. 202.
  4. Orletskyi I.G., Ilashchuk M.I., Maistruk E.V. et al. // Ukr. J. Phys. 2019. V. 64. No. 2. P. 164.
  5. GuillénCervantes A., BecerrilSilva M., SilvaLópez H.E. et al. // J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2020. V. 31. P. 7133.
  6. Жанабергенов Ж., Мирсагатов Ш.А., Каражанов С.Ж., Музаффарова С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. № 21. С. 82; Zhanabergenov Zh., Mirsagatov Sh.A., Karazhanov S. Zh., Muzaffarova S. // Tech. Phys. Lett. 2003. V. 29. No. 11. P. 917.
  7. Умирзаков Б.Е., Содикжанов Ж.Ш., Ташмухамедова Д.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. № 12. С. 3; Umirzakov B.E., Sodikjanov J.Sh., Tashmukhamedova D.A. et al. // Tech.Phys. Lett. 2021. V. 47. No. 8. P. 620.
  8. Селькин А.В., Юлдашев Н.Х. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 879; Selkin A.V., Yuldashev N.Kh. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. № 6. P. 771.
  9. Kapadnis R.S., Kale S.S., Wagh V.G. // IOSR-JEN. 2013. V. 3. No. 8. P. 01.
  10. Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Алешкин В.Я. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 861; Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Aleshkin V.Ya. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 6. P. 755.
  11. Иконников А.В., Криштопенко С.С., Бовкун Л.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 116. № 8. С. 535; Ikonnikov A.V., Krishtopenko S.S., Bovkun L.S. et al. // JETP Lett. 2022. V. 116. No. 8. P. 547.
  12. Рыжков М.C., Козлов Д.А., Худайбердиев Д.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 117. № 1. С. 50; Ryzhkov M.S., Kozlov D.A., Khudaiberdiev D.A. et al. // JETP Lett. 2023. V. 117. No. 1. P. 44.
  13. Уланов В.А., Зайнуллин Р.Р., Хушея Т.А.Н., Яцык И.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 14. С. 1682; Ulanov V.A., Zainullin R.R., Housheya T.A.H., Yatsyk I.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2021. V. 85. No. 12. P. 1337.
  14. Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В., Еремина Е.О. // ФТП. 2010. Т. 44. № 7. С. 978; Belyaev A.P., Rubets V.P., Antipov V.V., Eremina E.O. // Semiconductors. 2010. V. 44. No. 7. P. 946.
  15. Клюй Н.И., Лозинский В.Б., Лукьянов А.Н. и др. // ЖТФ. 2012. Т. 82. № 8. С. 83; Klyui N.I., Lozinskii V.B., Luk’yanov A.N. et al. // Techn. Physics. 2012. V. 57. No. 8. P. 1121.
  16. Wang F., Schwartzman A., Fahrenbruch A.L. et al. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. P. 1469.
  17. Espinoza-Beltrán F.J., Sánchez-Sinencio F., Zelaya-Angel O. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. Part 2. Art. No. L1715.
  18. Espinoza-Beltrán F.J., Zelaya O., Sánchez-Sinencio F. et al. // J. Vac. Sci. Techol. A. 1993. V. 11. P. 3062.
  19. Zapata-Navarro A., Zapata-Torres M., Sosa V. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. P. 714.
  20. Werthen J.G., Häring J.P., Bube R.H. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 1159.
  21. Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхн. Рентген., cинхротрон. и нейтрон. иссл. 2014. № 4. С. 24; Boltaev Kh.Kh., Tashmukhamedova D.A., Umirzakov B.E. // J. Surface Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2014. V. 8. No. 2. P. 326.
  22. Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Джурабекова Ф.Г., Умирзаков Б.Е. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 2. С. 162; Ergashov E.S., Tashmukhamedova D.A., Djurabekova F.G., Umirzakov B.E. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. No. 2. P. 138.
  23. Ташмухамедова Д.А., Юсупжанова М.Б. // Поверхн. Рентген., cинхротрон. и нейтрон. иссл. 2016. V. 12. P. 89; Tashmukhamedova D.A., Yusupjanova M.B. // J. Surface Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2016. V. 10. No. 6. P. 1273.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2. Fig. 1. AFM image of the CdTe film surface.

下载 (103KB)
索引源数据
3. Fig. 2. X-ray phase analysis of CdTe (111).

下载 (83KB)
索引源数据
4. Fig. 3. Auger spectra: 1 – pure CdTe (111); 2 – CdTe (111) implanted with ions with E₀ = 1 keV at D = 8∙1016 cm⁻²

下载 (79KB)
索引源数据
5. Fig. 4. Profile of the distribution of O atoms by depth in the CdTeO₃/CdTe(111) system.

下载 (45KB)
索引源数据
6. Fig. 5. Photoelectron spectra for: 1 – CdTe (111); 2 – CdTe (111) with CdTeO₃ film.

下载 (64KB)
索引源数据
7. Fig. 6. Dependence of the surface concentration of Cd, Te and O atoms on the irradiation dose for CdTe implanted with ions with E₀ = 15 keV.

下载 (59KB)
索引源数据
8. Fig. 7. Concentration profiles of the distribution of O atoms by depth for CdTe implanted with ions with E₀ = 15 keV at a dose of D = 10¹⁷ cm⁻²: 1 – before heating; 2 – after heating at T = 800 K.

下载 (47KB)
索引源数据

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024