FORMIROVANIE SOSTAVA V ANIONNOY PODREShETKE TVERDOGO RASTVORA InAsxSb1−x PRI MOLEKULYaRNO-LUChEVOY EPITAKSII NA VITsINAL'NOY POVERKhNOSTI (001)

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Экспериментально исследована зависимость доли мышьяка в слоях InAsxSb1−x, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As2/As4 и Sb4. Экспериментальные данные описаны с помощью кинетической модели, основанной на положениях и подходах, предложенных и апробированных ранее применительно к GaPxAs1−x. В настоящей модели учтены особенности взаимодействия молекул As2/As4 и Sb4 с поверхностью InAsxSb1−x(001). Установлено, что механизм взаимодействия молекул As2 c InAsxSb1−x(001) зависит от поверхностной сверхструктуры.

Sobre autores

M. Putyato

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

E. Emel'yanov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: e2a@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия

M. Petrushkov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

D. Bogomolov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

A. Vasev

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

B. Cemyagin

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

V. Preobrazhenskiy

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Новосибирск, Россия

Bibliografia

  1. A. Bosacchi, S. Franchi, P. Allegri et al., J. Cryst. Growth 201/202, 858 (1999), doi: 10.1016/s0022-0248(98)01473-0.
  2. W. L. Sarney and S. P. Svensson, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 060604 (2015), doi: 10.1116/1.4935892.
  3. T. Zederbauer, A. M. Andrews, D. MacFarland et al., APL Mater. 5, 035501 (2017), doi: 10.1063/1.4973216.
  4. J. Klem, D. Huang, H. Morkoc et al., J. Appl. Phys. Lett. 50, 1364 (1987), doi: 10.1063/1.97857.
  5. X. Sun, S. Wang, J. S. Hsu et al., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 817 (2002), doi: 10.1109/JSTQE.2002.800848.
  6. K. Mochizuki and T. Nishinaga, Jap. J. Appl. Phys. 27, 1585 (1988), doi: 10.1143/JJAP.27.1585.
  7. Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин и др., ФТП 53, 512 (2019), doi: 10.21883/FTP.2019.04.47451.8981.
  8. M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno et al., J. Appl. Phys. 100, 013531 (2006), doi: 10.1063/1.2216049.
  9. Е. А. Емельянов, Д. Ф. Феклин, А. В. Васев и др., Автометрия 47, 43 (2011).
  10. J. R. Arthur, Surf. Sci. 43, 449 (1974), doi: 10.1116/1.1317818.
  11. C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci. 64, 293 (1977), doi: 10.1016/0039-6028(77)90273-4.
  12. K. Ploog, Ann. Rev. Mater. Sci. 11, 171 (1981), doi: 10.1146/annurev.ms.11.080181.001131.
  13. J. M. Van Hove and P.J. Cohen, J. Vac. Sci. Technol. 20, 726 (1982), doi: 10.1063/1.96017.
  14. C. E. C. Wood, C. R. Stanley, G. W. Wicks, and M. B. Esi, J. Appl. Phys. 54, 1868 (1983), doi: 10.1063/1.332239.
  15. Y. H. Wang, W. C. Liu, C. Y. Chang, and S. A. Liao, J. Vac. Sci. Technol. B 4(1), 30 (1986), doi: 10.1116/1.583319.
  16. T. Nomura, H. Ogasawara, M. Miyao, and M. Hagino, J. Cryst. Growth 111, 61 (1991), doi: 10.1016/0022-0248(91)90947-4.
  17. S. Yu. Karpov and M. A. Maiorov, Surf. Sci. 393, 108 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(97)00563-3.
  18. E. S. Tok, J. H. Neave, F. E. Allegretti, J. Zhang, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 371, 277 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
  19. Ю. Г. Галицын, И. И. Мараховка, С. П. Мощенко, В. Г. Мансуров, Письма в ЖТФ 7, 31 (1998).
  20. Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин, В. В. Преображенский, ФТП 49, 163 (2015), doi: 10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
  21. R. Heckingbottom, G. J. Davies, and K. A. Prior, Surf. Sci. 132, 375 (1983), doi: 10.1016/0039-6028(83)90548-4.
  22. R. Heckingbottom, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 572 (1985), doi: 10.1116/1.583182.
  23. H. Seki, A. Koukitu, J. Cryst. Growth. 78, 342 (1986), doi: 10.1016/0022-0248(86)90070-9.
  24. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, ФТП 22, 1729 (1988).
  25. S. V. Ivanov P. D. Altukhov, T. S. Argunova et al., Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993).
  26. А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, П. С. Копьев, ФТП 31, 1153 (1997), doi: 10.1134/1.1187033.
  27. A. Y. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov et al., J. Gryst. Growth. 188, 69 (1998), doi: 10.1134/1.1187033.
  28. М. А. Путято, Е. А. Емельянов, М. О. Петрушков и др., ЖЭТФ 165, 51 (2024), doi: 10.31857/S0044451024010061.
  29. N. Jones, The Atomic Structure of the Indium Antimonide (001) Surface: The Degree of Doctor of Philosophy at the University of Leicester (1998).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025