Переходное состояние вещества во флуктуационной модели роста кристалла

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Обсуждаются два механизма воздействия переходного состояния строительных частиц (активированных комплексов по С. Аррениусу) на скорость роста кристалла в рамках флуктуационной модели дислокационного роста. Адсорбированные на поверхности растущей грани кластеры переходного состояния выполняют функцию примеси, понижающей поверхностную энергию кристалла в моменты между флуктуациями свободной энергии. Так переходное состояние кристаллизующегося вещества по первому механизму влияет на скорость релаксационного процесса вторичной адсорбции примесей и сокращает период присоединения строительных частиц к грани кристалла. Другие кластеры, образующиеся в растворе, сокращают количество свободных частиц и в условиях низкой концентрации строительного вещества способны понизить скорость кристаллизации. Тем не менее в природной многокомпонентной среде кристаллизации, при малых концентрациях строительного вещества, значимом тепловом эффекте кристаллизации и небольших отклонениях от равновесия роль переходного состояния при росте кристалла в целом незначительна.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

В. И. Ракин

Институт геологии Коми НЦ УрО РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: rakin@geo.komisc.ru
Россия, Сыктывкар

Список литературы

  1. Ракин В.И. // Кристаллография. 2016. Т. 61. № 3. С. 488. https://doi.org/10.7868/S0023476116020168
  2. Rakin V.I. // Crystallography Reports. 2022. V. 67. № 7. P. 1259. https://doi.org/10.1134/S1063774522070252
  3. Эйринг Г., Лин С.Г., Лин С.М. Основы химической кинетики. Пер. с англ. М.: Мир,1983. 528 с.
  4. Штиллер В. Уравнение Аррениуса и неравновесная кинетика. Пер с англ. М.: Мир, 2000. 176 с.
  5. Arrenius S.A. // Zeitschrift fur Physikalishe Chemie. 1889. B. 4. S. 226.
  6. Пригожин И., Кондепуди Д. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур. М.: Мир, 2002. 461 с.
  7. Ландау Л.Д. // О равновесной форме кристаллов: Сборник, посвященный семидесятилетию академика А.Ф. Иоффе. М.: Наука, 1950. С. 44.
  8. Хинчин А.Я. Предельные теоремы для сумм независимых случайных величин. М.; Л.: ОНТИ НКТП СССР, 1938. 116 с.
  9. Burton W.K., Cabrera N., Frank F.C. // Philos. Trans. Royal Soc. A. 1951. V. 243 (866). P. 299. https://doi.org/10.1098/rsta.1951.0006
  10. Gilmer G.H., Ghez R., Cabrera N. // J. Cryst. Growth. 1971. V. 15. P. 79. https://doi.org/10.1016/0022-0248(71)90027-3
  11. Van Der Eerden J.P. // J. Cryst. Growth. 1982. V. 56. P. 174. https://doi.org/10.1016/0022-0248(82)90027-6
  12. Ракин В.И. Пространственные неоднородности в кристаллообразующей системе. Екатеринбург: Изд-во УрО РАН, 2003. 370 с.
  13. Ракин В.И. // Кристаллография. 2024. Т. 69. № 4. С. 705. https://doi.org/10.31857/S0023476124040188
  14. Frank F.C. // Acta Cryst. 1951. V. 4. P. 497.
  15. Cabrera N., Levine M.M. // Philos. Mag. 1956. V. 1. (5). P. 450. https://doi.org/10.1080/14786435608238124
  16. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография (в 4 томах). Образование кристаллов. М.: Наука, 1980. Т. 3. 408 с.
  17. Рашкович Л.Н., Петрова Е.В., Шустин О.А., Черневич Т.Г. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 2. С. 377.
  18. Hammond G.S. // J. Am. Chem. Soc. 1955. V. 77. P. 334.
  19. Schwoebel R.L. // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. № 2. P. 614.
  20. Ракин В.И. // Кристаллография. 2023. Т. 68. № 2. С. 319. https://doi.org/10.31857/S0023476123020133

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024